'플래시 메모리 서밋 2017'에서 세계 최대용량 1Tb V낸드 발표
공간활용·고성능·저장방식 혁신 등 차세대 SSD 솔루션 대거 공개

▲ 삼성전자가 8일부터 열리는 미국 플래시 메모리 서밋 2017에서 서버 시스템의 집적도를 향상시킬 수 있는 새로운 규격의 'NGSFF(Next Generation Small Form Factor) SSD'를 공개했다. 사진=삼성전자
[일간투데이 이욱신 기자] 사상 최고의 반도체 '슈퍼 호황'을 구가하고 있는 삼성전자가 세계 최대 용량의 V낸드 플래시 메모리와 차세대 SSD(솔리드스테이트드라이브) 제품군을 공개하며 메모리 반도체 분야의 독보적인 기술 리더십을 계속 강화해 나가고 있다.

삼성전자는 지난 8일(현지시간) 미국 캘리포니아주 샌타클래라 컨벤션 센터에서 열린 '플래시 메모리 서밋 2017'에서 1테라비트(Tb) V낸드 제품을 처음으로 선보였다고 9일 밝혔다. 플래시 메모리 서밋은 매년 미국에서 개최되는 세계 최대 플래시 메모리 업계 컨퍼런스로, 올해는 지난 8일부터 10일까지 진행된다.

V낸드는 평면(2차원) 위에 많은 회로를 넣는 대신 3차원 수직 구조로 회로를 쌓아올려 집적도를 높인 플래시 메모리 기술로, 주로 휴대전화나 디지털카메라 등의 데이터 저장장치로 쓰인다.

이 제품은 데이터를 저장하는 3차원 셀(cell) 용량을 기존 512Gb보다 2배로 늘린 것으로, 특히 16단으로 쌓아 올려 2테라바이트(TB)의 단품 패키지로 만들 수 있기 때문에 저장용량을 획기적으로 늘릴 수 있다.

1Tb는 128GB로, 2시간짜리 HD급 화질 영화의 용량이 보통 1.5~2GB 정도라는 점을 감안하면 약 60~70편을 하나에 담을 수 있는 셈이다.

삼성전자는 이번에 공개한 1Tb V낸드 메모리가 적용된 최대 용량의 SSD 제품을 내년에 본격 출시한다는 계획이다.

이와 함께 삼성전자는 이번 행사에서 서버 시스템 내 저장장치의 공간활용도를 극대화할 수 있는 새로운 SSD 규격인 'NGSFF(Next Generation Small Form Factor) SSD'도 공개하고 오는 4분기에 양산에 돌입한다고 발표했다.

삼성전자 관계자는 "기존 시스템을 이 규격으로 대체할 경우 같은 공간에서 저장용량을 4배까지 높일 수 있다"며 "메모리 반도체 수요가 많은 데이터센터와 서버 고객들이 효율적인 시스템을 구축할 수 있다"고 설명했다.

또 기존 제품에 비해 읽기와 응답 속도가 7~12배 빨라 실시간 빅데이터 분석이나 고성능 서버용 캐시 등에 이용할 수 있는 'Z-SSD'와 함께 별도의 데이터 전환 과정 없이 다양한 데이터를 있는 그대로 저장할 수 있는 '키 밸류(Key Value) SSD' 등도 함께 선보였다.

SSD는 하드디스크드라이브(HDD)를 대체하는 저장장치로, 낸드 플래시 또는 D램 등 초고속 반도체 메모리를 저장 매체로 사용해 속도가 빠르고 기계적 지연이나 발열, 소음이 적다.

진교영 삼성전자 메모리사업부장은 "지속적인 V낸드 솔루션 개발을 통해 고객 가치를 극대화 하고, 향후 AI(인공지능), 빅데이터 등 미래 첨단 반도체 수요에 선제적으로 대응해 나갈 것"이라고 말했다.

한편, 삼성전자는 2013년 세계 최초 V낸드(1세대·24단) 양산을 시작으로, 올해 4세대 V낸드를 양산하는 등 낸드플래시 혁신을 주도해오고 있다.
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