초당 460GB 데이터 처리속도 구현…FHD 영화 124편 1초 처리
머신러닝·슈퍼컴퓨터·AI 등 4차산업 기반 시스템 메모리 반도체 활용 전망

▲ SK하이닉스가 업계 최고속 'HBM2E' D램 개발에 성공했다고 12일 밝혔다. SK하이닉스 HBM2E D램. 자료=SK하이닉스
[일간투데이 이욱신 기자] SK하이닉스가 업계 최고속 'HBM2E' D램 개발에 성공했다고 12일 밝혔다. HBM2E는 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 HBM(고성능 고대역폭 메모리) D램의 차세대 제품으로, 이전 규격인 HBM2 대비 처리 속도를 50% 높였다.

이 제품은 초당 3.6기가비트(Gbit/s) 처리 속도를 구현할 수 있어 1024개의 정보출입구(I/O)를 통해 초당 460기가바이트(GByte)의 데이터 처리가 가능하다. 이는 풀HD(FHD)급 영화(3.7GB) 124편 분량의 데이터를 1초에 처리할 수 있는 수준이다. 용량은 단일 제품 기준으로 16Gb 칩 8개를 TSV(Through Silicon Via·실리콘 관통 전극 방식) 기술로 수직 연결해 16GB를 구현했다. TSV는 버퍼 칩 위에 여러 개의 D램 칩을 쌓은 뒤 전체 층을 관통하는 기둥형태의 미세한 구멍을 만들어 전류를 이동하게 함으로써 데이터 처리 속도를 높이고 전력 소모도 줄이면서 발열량도 감소시켰다.

HBM2E는 초고속 특성이 필요한 고성능 그래픽처리장치(GPU)를 비롯해 머신러닝(기계학습)과 슈퍼컴퓨터, 인공지능(AI) 등 4차산업 기반 시스템에 적합한 고사양 메모리 솔루션이다. HBM은 메모리 칩을 모듈 형태로 만들어 메인보드(주 기판)에 연결하는 통상적 방식이 아닌, 칩 자체를 GPU와 같은 로직 칩 등에 수십um(마이크로미터) 간격 수준으로 가까이 장착한다. 이로써 칩간 거리를 단축시켜 더욱 빠른 데이터 처리가 가능해진다.

전준현 SK하이닉스 HBM사업전략 담당은 "SK하이닉스는 2013년 세계 최초로 HBM D램을 출시한 이후 지금까지 기술 경쟁력을 바탕으로 시장을 선도해왔다"며 "HBM2E 시장이 열리는 내년부터 본격 양산을 개시해 프리미엄 메모리 시장에서의 리더십을 지속 강화하겠다"고 말했다.
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